Arquitectura: G90
Proceso de fabricación: 65 nm
Tamaño del troquel; 144mm2
Número de transistores: 314M
Densidad de transistores: 2,2 M TRAN/mm2
Núcleos: 48
SM: 3
TMU: 24
ROP: 16
Reloj básico: 530 MHz
Tamaño de memoria: 512 MB GDDR3
Ancho del bus de memoria: 256 bits
Ancho de banda de memoria: 51,2 GB/s
Tasa de relleno de píxeles: 8,5 GPíxeles/s
Tasa de relleno de textura: 12,7 GTexel/s
Rendimiento SPFP: 50,9 GFLOPS
Rendimiento por W: 848 FLOPS/W
Rendimiento por mm2: 353 FLOPS/mm2
Lanzado: 29 de julio de 2008.
