Architecture : G90
Processus de fabrication : 65 nm
Taille de la matrice ; 144 mm2
Nombre de transistors : 314 M
Densité des transistors : 2,2 M TRAN/mm2
Noyaux : 48
SM : 3
TMU : 24
ROP : 16
Horloge de base : 530 MHz
Taille de la mémoire : 512 Mo GDDR3
Largeur du bus mémoire : 256 bits
Bande passante mémoire : 51,2 Go/s
Taux de remplissage des pixels : 8,5 GPixels/s
Taux de remplissage de texture : 12,7 GTexel/s
Performances SPFP : 50,9 GFLOPS
Performance par W : 848 FLOPS/W
Performance par mm2 : 353 FLOPS/mm2
Sortie : 29 juillet 2008
