Архитектура: G90
Процесс изготовления: 65 нм
Размер матрицы; 144 мм2
Количество транзисторов: 314M
Плотность транзисторов: 2,2 млн TRAN/мм2
Ядра: 48
СМ: 3
ТМУ: 24
РОП: 16
Базовая частота: 530 МГц
Размер памяти: 512 МБ GDDR3
Ширина шины памяти: 256 бит
Пропускная способность памяти: 51,2 ГБ/с
Скорость заполнения пикселей: 8,5 Гпикселей/с.
Скорость заполнения текстур: 12,7 Гтекселей/с.
Производительность SPFP: 50,9 гигафлопс
Производительность на Вт: 848 ФЛОПС/Вт
Производительность на мм2: 353 FLOPS/мм2
Релиз: 29 июля 2008 г.
